前言：迈芯维，LED,COB封装
作为指示灯方面的应用,有几个mcd的发光强度也可以了,但由LED组成的数码管或字符管则显得亮度不足,若要用于户外作信号或标志显示,则其亮度太低,不能满足使用的要求。所以LED的主要发展方向是提高发光强度(也就是一般所指的提高亮度)。
随着半导体材料及半导体工艺技术、设备的发展,LED的亮度不断提高,开发出高亮度及超高亮度LED,并且不断创造新记录。
笔者用现有的LED资料,以中5标准封装、发红光、视角差不多的LED为例,以不同的生产年份的发光强度来说明LED发光强度提高的情况,如表1所示。
从表1可以看出,近30年LED的发光强度提高了8000倍左右。1969～1987年LED的发光强度是很低的,发展很慢,但1994～2005年LED的亮度有很大的发展。表1中列出的并非发光强度*高的。例如,在GaAs的衬低上采用AIlnGaP工艺技术制成的Φ5、红光LED,在小视角4°、50mA工作电流时,其典型发光强度为20000mcd。